FCPF11N65 - MOSFET N-CH 650V 11A

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 11A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
20296 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para FCPF11N65

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FCPF11N65
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 650V 11A
Serie : SuperFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1490pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220F
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : FCPF11N65.pdf

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