IPN60R2K1CEATMA1 - MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2255590 Pieces
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Especificaciones para IPN60R2K1CEATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IPN60R2K1CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Serie :
CoolMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
140pF @ 100V
Característica FET :
Super Junction
Disipación de potencia (max) :
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-SOT223
Paquete / Caja :
SOT-223-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IPN60R2K1CEATMA1
Hojas de datos :
IPN60R2K1CEATMA1.pdf
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