IPN60R2K1CEATMA1 - MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Número de pieza del fabricante

IPN60R2K1CEATMA1

Número interno de parte

AX-IPN60R2K1CEATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2255590 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.124386~~

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Especificaciones para IPN60R2K1CEATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPN60R2K1CEATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.7A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 60µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 140pF @ 100V

Característica FET : Super Junction

Disipación de potencia (max) : 5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223

Paquete / Caja : SOT-223-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPN60 , IPN60R2K

Documentos para IPN60R2K1CEATMA1

Hojas de datos : IPN60R2K1CEATMA1.pdf

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