SSM3K318R,LF - MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Número de pieza del fabricante

SSM3K318R,LF

Número interno de parte

AX-SSM3K318R,LF

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4048540 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.0693~~

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Especificaciones para SSM3K318R,LF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM3K318R,LF

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Serie : U-MOSIV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.5A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 235pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23F

Paquete / Caja : SOT-23-3 Flat Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SSM3K318R,LF

Hojas de datos : SSM3K318R,LF.pdf

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