C2M1000170D - MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
84710 Pieces
Precio de referencia
USD 3.312
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Especificaciones para C2M1000170D

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : C2M1000170D
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descripción : MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Serie : Z-FET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 191pF @ 1000V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247-3
Paquete / Caja : TO-247-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : C2M1000170D.pdf

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