IRF1405ZSTRL-7P - MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Número de pieza del fabricante

IRF1405ZSTRL-7P

Número interno de parte

AX-IRF1405ZSTRL-7P

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

67385 Pieces

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Especificaciones para IRF1405ZSTRL-7P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF1405ZSTRL-7P

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5360pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 230W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK (7-Lead)

Paquete / Caja : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF1405ZSTRL-7P

Hojas de datos : IRF1405ZSTRL-7P.pdf

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