A2G35S160-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
6416 Pieces
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Especificaciones para A2G35S160-01SR3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : A2G35S160-01SR3
Fabricante : NXP USA Inc.
Descripción : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de transistor : LDMOS
Frecuencia : 3.4GHz ~ 3.6GHz
Ganancia : 15.7dB
Voltaje - prueba : 48V
Valoración actual : -
Figura de ruido : -
Corriente - Prueba : 190mA
Salida de potencia : 51dBm
Tensión nominal : 125V
Paquete / Caja : NI-400S-2S
Paquete del dispositivo del proveedor : NI-400S-2S
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para A2G35S160-01SR3
Hojas de datos : A2G35S160-01SR3.pdf
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