IPB26CNE8N G - MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
8232 Pieces
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Especificaciones para IPB26CNE8N G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPB26CNE8N G
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 85V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 39µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2070pF @ 40V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IPB26CNE8N G.pdf

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