RW1E025RPT2CR - MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Número de pieza del fabricante

RW1E025RPT2CR

Número interno de parte

AX-RW1E025RPT2CR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6041430 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.04644~~

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Especificaciones para RW1E025RPT2CR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RW1E025RPT2CR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.5A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 480pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-WEMT

Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RW1E025RPT2CR

Hojas de datos : RW1E025RPT2CR.pdf

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