TK31J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
55335 Pieces
Precio de referencia
USD 5.07
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Especificaciones para TK31J60W,S1VQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TK31J60W,S1VQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Serie : DTMOSIV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3000pF @ 300V
Característica FET : Super Junction
Disipación de potencia (max) : 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P(N)
Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : TK31J60W,S1VQ.pdf

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