TK31J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Número de pieza del fabricante

TK31J60W,S1VQ

Número interno de parte

AX-TK31J60W,S1VQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

55335 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.07~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene TK31J60W,S1VQ en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para TK31J60W,S1VQ. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para TK31J60W,S1VQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK31J60W,S1VQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Serie : DTMOSIV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3000pF @ 300V

Característica FET : Super Junction

Disipación de potencia (max) : 230W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P(N)

Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TK31 , TK31J6

Documentos para TK31J60W,S1VQ

Hojas de datos : TK31J60W,S1VQ.pdf

Productos relacionados para TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	Marca	Descripción
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 18KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.