TPAR3J S1G - DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TPAR3J S1G
Fabricante
Breve descripción
DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1931615 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para TPAR3J S1G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPAR3J S1G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Avalanche
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.55V @ 3A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 120ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : 58pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : TO-277, 3-PowerDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para TPAR3J S1G
Hojas de datos : TPAR3J S1G.pdf
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