CSD19536KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
106720 Pieces
Precio de referencia
USD 2.62884
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Especificaciones para CSD19536KTTT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CSD19536KTTT
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 12000pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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