DMN2013UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-DMN2013UFX-7
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1488570 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para DMN2013UFX-7
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
DMN2013UFX-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
57.4nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2607pF @ 10V
Potencia - max :
2.14W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-VFDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor :
W-DFN5020-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para DMN2013UFX-7
Hojas de datos :
DMN2013UFX-7.pdf
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