1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N6622US
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
48870 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N6622US
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
1N6622US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
660V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
1.2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.4V @ 1.2A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
30ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 660V
Capacitancia a Vr, F :
10pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SQ-MELF, A
Paquete del dispositivo del proveedor :
A-MELF
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para 1N6622US
Hojas de datos :
1N6622US.pdf
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