NVD5890NLT4G - MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Número de pieza del fabricante

NVD5890NLT4G

Número interno de parte

AX-NVD5890NLT4G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22582 Pieces

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Especificaciones para NVD5890NLT4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVD5890NLT4G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 24A (Ta), 123A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4760pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 4W (Ta), 107W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVD5 , NVD589

Documentos para NVD5890NLT4G

Hojas de datos : NVD5890NLT4G.pdf

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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
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