APT80SM120B - POWER MOSFET - SIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-APT80SM120B
Fabricante
Breve descripción
POWER MOSFET - SIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23600 Pieces
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Especificaciones para APT80SM120B
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
APT80SM120B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
POWER MOSFET - SIC
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
555W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-247
Paquete / Caja :
TO-247-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para APT80SM120B
Hojas de datos :
APT80SM120B.pdf
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