SSM6N61NU,LF - MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3110115 Pieces
Precio de referencia
USD 0.09021
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Especificaciones para SSM6N61NU,LF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SSM6N61NU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 410pF @ 10V
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 6-WDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-UDFNB (2x2)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : SSM6N61NU,LF.pdf

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