SQJ960EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 8A
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 60V 8A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
416810 Pieces
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Especificaciones para SQJ960EP-T1_GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SQJ960EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2N-CH 60V 8A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
735pF @ 25V
Potencia - max :
34W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SQJ960EP-T1_GE3
Hojas de datos :
SQJ960EP-T1_GE3.pdf
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