RS1JLHRTG - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RS1JLHRTG
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
10002285 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RS1JLHRTG
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RS1JLHRTG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 800mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 800mA
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 250ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-219AB
Paquete del dispositivo del proveedor : Sub SMA
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para RS1JLHRTG
Hojas de datos : RS1JLHRTG.pdf
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