DMG7N65SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Número de pieza del fabricante

DMG7N65SJ3

Número interno de parte

AX-DMG7N65SJ3

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

485195 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DMG7N65SJ3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMG7N65SJ3

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 886pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-251

Paquete / Caja : TO-251-3, IPak, Short Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMG7N65SJ3

Hojas de datos : DMG7N65SJ3.pdf

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