BSZ018NE2LSATMA1 - MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
653995 Pieces
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Especificaciones para BSZ018NE2LSATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
BSZ018NE2LSATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
23A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2800pF @ 12V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para BSZ018NE2LSATMA1
Hojas de datos :
BSZ018NE2LSATMA1.pdf
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