BSZ018NE2LSATMA1 - MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Número de pieza del fabricante

BSZ018NE2LSATMA1

Número interno de parte

AX-BSZ018NE2LSATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

653995 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.429~~

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Especificaciones para BSZ018NE2LSATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSZ018NE2LSATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2800pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8-FL

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSZ01 , BSZ018NE

Documentos para BSZ018NE2LSATMA1

Hojas de datos : BSZ018NE2LSATMA1.pdf

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