ES3JBHM4G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-ES3JBHM4G
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2487000 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para ES3JBHM4G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : ES3JBHM4G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.45V @ 3A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 35ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para ES3JBHM4G
Hojas de datos : ES3JBHM4G.pdf
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