IRF9910TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF9910TRPBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
873605 Pieces
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Especificaciones para IRF9910TRPBF
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF9910TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 900pF @ 10V
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IRF9910TRPBF
Hojas de datos : IRF9910TRPBF.pdf
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