PSMN7R8-100PSEQ - MOSFET N-CH 100V SIL3

Número de pieza del fabricante

PSMN7R8-100PSEQ

Número interno de parte

AX-PSMN7R8-100PSEQ

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V SIL3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

179150 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.566~~

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Especificaciones para PSMN7R8-100PSEQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PSMN7R8-100PSEQ

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 100V SIL3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 128nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7110pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 294W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PSMN7R8-100PSEQ

Hojas de datos : PSMN7R8-100PSEQ.pdf

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