IPC042N03L3X1SA1 - MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

Número de pieza del fabricante

IPC042N03L3X1SA1

Número interno de parte

AX-IPC042N03L3X1SA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1239805 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.226296~~

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Especificaciones para IPC042N03L3X1SA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPC042N03L3X1SA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPC04 , IPC042N0

Documentos para IPC042N03L3X1SA1

Hojas de datos : IPC042N03L3X1SA1.pdf

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