SI3460BDV-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Número de pieza del fabricante

SI3460BDV-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SI3460BDV-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1199450 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI3460BDV-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI3460BDV-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 860pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI346 , SI3460BD

Documentos para SI3460BDV-T1-GE3

Hojas de datos : SI3460BDV-T1-GE3.pdf

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