IPDD60R190G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Número de pieza del fabricante

IPDD60R190G7XTMA1

Número interno de parte

AX-IPDD60R190G7XTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

315570 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.88905~~

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Especificaciones para IPDD60R190G7XTMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPDD60R190G7XTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Serie : CoolMOS™ G7

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 210µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 718pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 76W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-HDSOP-10-1

Paquete / Caja : 10-PowerSOP Module

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPDD60R190G7XTMA1

Hojas de datos : IPDD60R190G7XTMA1.pdf

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