TPN2R304PL,L1Q - MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1678410 Pieces
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Especificaciones para TPN2R304PL,L1Q
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TPN2R304PL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Serie :
U-MOSIX-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 0.3mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3600pF @ 20V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
175°C
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TPN2R304PL,L1Q
Hojas de datos :
TPN2R304PL,L1Q.pdf
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