CDBJSC101200-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
65270 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para CDBJSC101200-G
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CDBJSC101200-G
Fabricante :
Comchip Technology
Descripción :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
10A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.7V @ 10A
Velocidad :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F :
780pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CDBJSC101200-G
Hojas de datos :
CDBJSC101200-G.pdf
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