RJL6012DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Número de pieza del fabricante

RJL6012DPE-00#J3

Número interno de parte

AX-RJL6012DPE-00#J3

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

17504 Pieces

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Especificaciones para RJL6012DPE-00#J3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RJL6012DPE-00#J3

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1050pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 100W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-LDPAK

Paquete / Caja : SC-83

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RJL6012DPE-00#J3

Hojas de datos : RJL6012DPE-00#J3.pdf

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