WPB4002-1E - MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

Número de pieza del fabricante

WPB4002-1E

Número interno de parte

AX-WPB4002-1E

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

20720 Pieces

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Especificaciones para WPB4002-1E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : WPB4002-1E

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2200pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 220W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P-3L

Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para WPB4002-1E

Hojas de datos : WPB4002-1E.pdf

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