PHK18NQ03LT,518 - MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

PHK18NQ03LT,518

Número interno de parte

AX-PHK18NQ03LT,518

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

62435 Pieces

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Especificaciones para PHK18NQ03LT,518

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PHK18NQ03LT,518

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1380pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PHK18NQ03LT,518

Hojas de datos : PHK18NQ03LT,518.pdf

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