FDN302P - MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Número de pieza del fabricante

FDN302P

Número interno de parte

AX-FDN302P

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2739825 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDN302P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDN302P

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.4A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 882pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDN302P

Hojas de datos : FDN302P.pdf

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