FDFME3N311ZT - MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Número de pieza del fabricante

FDFME3N311ZT

Número interno de parte

AX-FDFME3N311ZT

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

16528 Pieces

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Especificaciones para FDFME3N311ZT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDFME3N311ZT

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 75pF @ 15V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 1.4W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-MicroFET (1.6x1.6)

Paquete / Caja : 6-UFDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDFM , FDFME3

Documentos para FDFME3N311ZT

Hojas de datos : FDFME3N311ZT.pdf

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