IXTN660N04T4 - 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
30989 Pieces
Precio de referencia
USD 12.672
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Especificaciones para IXTN660N04T4

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXTN660N04T4
Fabricante : IXYS
Descripción : 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Serie : TrenchT4™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 660A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 860nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 44000pF @ 25V
Característica FET : Current Sensing
Disipación de potencia (max) : 1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B
Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IXTN660N04T4.pdf

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