BSZ215CHXTMA1 - MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
913200 Pieces
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Especificaciones para BSZ215CHXTMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BSZ215CHXTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N and P-Channel Complementary
Característica FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 110µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 419pF @ 10V
Potencia - max : 2.5W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BSZ215CHXTMA1
Hojas de datos : BSZ215CHXTMA1.pdf
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