NVGS3130NT1G - MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Número de pieza del fabricante

NVGS3130NT1G

Número interno de parte

AX-NVGS3130NT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

896225 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NVGS3130NT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVGS3130NT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 935pF @ 16V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 600mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP

Paquete / Caja : SOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NVGS3130NT1G

Hojas de datos : NVGS3130NT1G.pdf

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