IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFT18N100Q3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
42360 Pieces
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Especificaciones para IXFT18N100Q3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IXFT18N100Q3
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Serie : HiPerFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4890pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-268
Paquete / Caja : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IXFT18N100Q3
Hojas de datos : IXFT18N100Q3.pdf
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