MT47H512M4EB-187E:C - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59100 Pieces
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Especificaciones para MT47H512M4EB-187E:C
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : MT47H512M4EB-187E:C
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descripción : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria : 2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj : 533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : 350ps
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 60-FBGA (9x11.5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para MT47H512M4EB-187E:C
Hojas de datos : MT47H512M4EB-187E:C.pdf
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