TK12E80W,S1X - MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TK12E80W,S1X
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
141690 Pieces
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Especificaciones para TK12E80W,S1X
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK12E80W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Serie :
DTMOSIV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
11.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 570µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1400pF @ 300V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK12E80W,S1X
Hojas de datos :
TK12E80W,S1X.pdf
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