SIDR626DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 60V

Número de pieza del fabricante

SIDR626DP-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SIDR626DP-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CHAN 60V

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

343005 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.817938~~

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Especificaciones para SIDR626DP-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIDR626DP-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CHAN 60V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 42.8A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5130pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8DC

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIDR626DP-T1-GE3

Hojas de datos : SIDR626DP-T1-GE3.pdf

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