MT41J512M8THU-15E:A - IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
56840 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para MT41J512M8THU-15E:A
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
MT41J512M8THU-15E:A
Fabricante :
Micron Technology Inc.
Descripción :
IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - DDR3
Tamaño de la memoria :
4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj :
667MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
-
Tiempo de acceso :
13.5ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
82-FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
-
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para MT41J512M8THU-15E:A
Hojas de datos :
MT41J512M8THU-15E:A.pdf
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