RJK1002DPN-E0#T2 - MOSFET N-CH 100V 70A TO220
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17216 Pieces
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Especificaciones para RJK1002DPN-E0#T2
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RJK1002DPN-E0#T2
Fabricante : Renesas Electronics America
Descripción : MOSFET N-CH 100V 70A TO220
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 70A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6450pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para RJK1002DPN-E0#T2
Hojas de datos : RJK1002DPN-E0#T2.pdf
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