VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Número de pieza del fabricante

VS-GB100TH120N

Número interno de parte

AX-VS-GB100TH120N

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9181 Pieces

Precio de referencia

~~USD 214.417002~~

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Especificaciones para VS-GB100TH120N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VS-GB100TH120N

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo IGBT : -

Configuración : Half Bridge

Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) : 1200V

Corriente - Colector (Ic) (Max) : 200A

Potencia - max : 833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A

Corriente - Corte del colector (Máx.) : 5mA

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V

Entrada : Standard

Termistor NTC : No

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Double INT-A-PAK (3 + 4)

Paquete del dispositivo del proveedor : Double INT-A-PAK

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VS-GB100TH120N

Hojas de datos : VS-GB100TH120N.pdf

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