AUIRS20161S - IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
68435 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para AUIRS20161S

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AUIRS20161S
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q100
Estado de la pieza : Obsolete
Configuración dirigida : High-Side
Tipo de canal : Single
Número de conductores : 1
Tipo de puerta : IGBT, N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje : 4.4V ~ 6.5V
Voltaje lógico - VIL, VIH : -
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) : 500mA, 500mA
Tipo de entrada : Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) : 150V
Tiempo de subida / caída (tipo) : 200ns, 200ns
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : AUIRS20161S.pdf

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