RJK2009DPM-00#T0 - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Número de pieza del fabricante

RJK2009DPM-00#T0

Número interno de parte

AX-RJK2009DPM-00#T0

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

17232 Pieces

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Especificaciones para RJK2009DPM-00#T0

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RJK2009DPM-00#T0

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 40A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2900pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3PFM

Paquete / Caja : TO-3PFM, SC-93-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RJK2009DPM-00#T0

Hojas de datos : RJK2009DPM-00#T0.pdf

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