EPC2019 - GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2019
Fabricante
Breve descripción
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
265075 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para EPC2019
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
EPC2019
Fabricante :
EPC
Descripción :
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
8.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
270pF @ 100V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
-
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
Die
Paquete / Caja :
Die
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para EPC2019
Hojas de datos :
EPC2019.pdf
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