ZXMN2F30FHQTA - MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Número de pieza del fabricante

ZXMN2F30FHQTA

Número interno de parte

AX-ZXMN2F30FHQTA

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3315180 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para ZXMN2F30FHQTA

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ZXMN2F30FHQTA

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 452pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.4W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : ZXMN , ZXMN2F

Documentos para ZXMN2F30FHQTA

Hojas de datos : ZXMN2F30FHQTA.pdf

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