RJK6018DPM-00#T1 - MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17456 Pieces
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Especificaciones para RJK6018DPM-00#T1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RJK6018DPM-00#T1
Fabricante : Renesas Electronics America
Descripción : MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4100pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3PFM
Paquete / Caja : TO-3PFM, SC-93-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para RJK6018DPM-00#T1
Hojas de datos : RJK6018DPM-00#T1.pdf
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