RP1E070XNTCR - MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Número de pieza del fabricante

RP1E070XNTCR

Número interno de parte

AX-RP1E070XNTCR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15888 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RP1E070XNTCR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RP1E070XNTCR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 390pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : MPT6

Paquete / Caja : 6-SMD, Flat Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RP1E070XNTCR

Hojas de datos : RP1E070XNTCR.pdf

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