AUIRF2903ZS - MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Número de pieza del fabricante

AUIRF2903ZS

Número interno de parte

AX-AUIRF2903ZS

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15960 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para AUIRF2903ZS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AUIRF2903ZS

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 160A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6320pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 231W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AUI , AUIRF

Documentos para AUIRF2903ZS

Hojas de datos : AUIRF2903ZS.pdf

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